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石墨烯納米材料
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PL Mapping 光致發光掃描系統

 

PL Mapping光致發光掃描系統

 

應用領域︰

常規的光致發光測量;
III-V族化合物半導體材料光致發光測量;
熒光性;
LD, LED外延晶片PL掃描測量;

儀器特點︰

高品質及中等價位的PL掃描系統(高性價比);
波長範圍寬廣(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um);
噪聲低,高PL信號探測;
設計緊湊,易于調諧;
各種激發激光源可選;
易于發現峰及FWHM;

儀器規格︰

1 、光致發光樣品腔
10x M-Plan鏡頭顏色修正,波長範圍︰350-1800nm
工作距離︰30.5mm, 20mm FL, z軸可調
系統空間分辨率︰10微米(1微米選配)
鏡子帶孔洞作為激光束及PL信號的通道
Iris光圈用于激光束的調整
可變ND過濾器用于激光能量的控制(99% to 2%)
10毫米孔洞PL信號校準鏡頭
馬達控制的XY台,最大速度30毫米/秒,1微米掃描分辨率
外延晶片樣品盤
包括高分辨控制器和電纜

2、IG512近紅外光譜儀,900-1700nm, 512像素, InGaAs陣列
25um x 500um像素尺寸,14bits, 2.5MHz數字轉換器, f/4, 40mm FL
探測範圍︰900nm全譜,300gr/mm, 1um blaze grating
包括SMA905, 400um多模光縴,1米長

3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可見光,衍射光柵光譜儀
f/4, symX-Czerny-turner類型
分辨率︰1.6nm (50um狹縫,@600gr/mm grating)
包括2048像素CCD探測器,12bit數字轉換器
600gr/mm grating
接口︰USB-2.0
SMA905光縴光學輸入,0.22NA,400um多模光縴,1米長

4、激光器
LDM830100CWA 830nm Solid State Laser
FKL532.50.CWA.L 532nm Solid State Laser
IK3501R-G, 325nm HeCd Laser
Other lasers wavelength(s) (e.g. 266nm, 488nm, 405nm, 514nm, 785nm)

PL Mapping光致發光掃描系統


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